Обманка: Недопустимое название — Викисловарь

итальянский [править]

Произношение [править]

• Рифмы: -ɛnde

Существительное [править]

обманка f

1. множественное число blenda

Blende | Дискография | Дискоги

Произошла ошибка при настройке пользовательского файла cookie

Этот сайт использует файлы cookie для повышения производительности.Если ваш браузер не принимает файлы cookie, вы не можете просматривать этот сайт.

Настройка вашего браузера для приема файлов cookie

Существует множество причин, по которым cookie не может быть установлен правильно. Ниже приведены наиболее частые причины:

• В вашем браузере отключены файлы cookie. Вам необходимо сбросить настройки вашего браузера, чтобы он принимал файлы cookie, или чтобы спросить вас, хотите ли вы принимать файлы cookie.
• Ваш браузер спрашивает вас, хотите ли вы принимать файлы cookie, и вы отказались.Чтобы принять файлы cookie с этого сайта, нажмите кнопку «Назад» и примите файлы cookie.
• Ваш браузер не поддерживает файлы cookie. Если вы подозреваете это, попробуйте другой браузер.
• Дата на вашем компьютере в прошлом. Если часы вашего компьютера показывают дату до 1 января 1970 г., браузер автоматически забудет файл cookie. Чтобы исправить это, установите правильное время и дату на своем компьютере.
• Вы установили приложение, которое отслеживает или блокирует установку файлов cookie.Вы должны отключить приложение при входе в систему или проконсультироваться с системным администратором.

Почему этому сайту требуются файлы cookie?

Этот сайт использует файлы cookie для повышения производительности, запоминая, что вы вошли в систему, когда переходите со страницы на страницу. Чтобы предоставить доступ без файлов cookie потребует, чтобы сайт создавал новый сеанс для каждой посещаемой страницы, что замедляет работу системы до неприемлемого уровня.

Что сохраняется в файле cookie?

Этот сайт не хранит ничего, кроме автоматически сгенерированного идентификатора сеанса в cookie; никакая другая информация не фиксируется.

Как правило, в файлах cookie может храниться только информация, которую вы предоставляете, или выбор, который вы делаете при посещении веб-сайта. Например, сайт не может определить ваше имя электронной почты, пока вы не введете его. Разрешение веб-сайту создавать файлы cookie не дает этому или любому другому сайту доступа к остальной части вашего компьютера, и только сайт, который создал файл cookie, может его прочитать.

Blende — Rikki | Эскимосские записи

• Цифровой альбом

  потоковое + скачать

  Включает неограниченную потоковую передачу через бесплатное приложение Bandcamp, а также высококачественную загрузку в MP3, FLAC и других форматах.

  Можно приобрести с подарочной картой

  Купить цифровой альбом 3 евро евро или больше

  Отправить как подарок

• Поделиться / Встроить

около

После его прорывного релиза Fake Love on Eskimo — при поддержке A-Trak, Airplane, Yuksek, Dimitri from Paris и The Magician — и нескольких ремиксов для таких, как Lana Del Rey, Skrillex, Azari + III и Two Door Cinema Club , теперь он вернулся с этим новым уникальным усилием.«Rikki» — это лучшая танцевальная инди-мелодия, которая снова предлагает щедрую дозу ню-диско, сочетая старую школу с новой.

кредитов

выпущено 30 сентября 2013 г.

лицензия

все права защищены

Ферромагнетизм и гигантское магнитосопротивление в монослоях FeAs с цинковой обманкой, встроенных в полупроводниковые структуры

Рост и кристаллическая структура структур FeAs / InAs SL

Выращивание SL FeAs / InAs с кристаллической структурой цинковой обманки является очень сложной задачей из-за низкой растворимости Fe в полупроводниках AIIIBV, что легко вызывает сегрегацию атомов и фазовое разделение.Действительно, на сегодняшний день нет сообщений об объемной структуре FeAs с цинковой обманкой, хотя теоретически предсказано, что в ней будет присутствовать полуметаллическая зонная структура ¹² . В данной работе мы выращивали структуры FeAs / InAs SL на подложках InAs (001) или полуизолирующем GaAs (001) с использованием специальной техники низкотемпературной молекулярно-лучевой эпитаксии (LT-MBE). При росте на подложках GaAs, как показано на рис. 1а, мы выращиваем слой AlSb толщиной 500 нм при температуре роста T _S = 470 ° C на AlAs / GaAs толщиной 10 нм (001 ) подложку перед выращиванием структур SL, чтобы получить гладкий буферный слой с согласованной решеткой.Затем T _S уменьшается до 220 ° C, и мы выращиваем структуру FeAs / InAs SL, состоящую из N периодов InAs ( t _InAs ML) / FeAs (номинально 1 ML), и, наконец, покрывающий слой InAs ( t _InAs MLs). Слои InAs и FeAs выращиваются со скоростью 500 нм / ч и 250 нм / ч соответственно, для чего мы откалибровали поток Fe так, чтобы он составлял ровно половину потока In (см. «Методы»). Мы выращивали серию образцов, пронумерованных от А1 до А4, с параметрами толщины ( N , t _InAs ) = (1, 20), (3,10), (5, 7), (7 , 5) соответственно.Здесь общие толщины SL FeAs / InAs во всех образцах (A1 – A4) практически фиксируются на уровне 41–47 МС, что равняется 12.4–14 нм. Следовательно, расстояние между слоями FeAs, t _InAs , обратно пропорционально N . Для справки мы также выращиваем образец A0, состоящий из структуры (In, Fe) As (6% Fe, 7 нм) / InAs (5 нм) толщиной 12 нм поверх буферного слоя AlSb. Структура и T _C всех образцов сведены в Таблицу 1.На рис. 1б представлены картины дифракции электронов высоких энергий (ДБЭО) на отражение от структуры SL в образце A4 ( N = 7). Картины ДБЭО очень яркие и полосатые во время роста слоев InAs, темнеют, но остаются картиной с цинковой обманкой во время роста слоев FeAs, а затем хорошо восстанавливаются во время роста следующего слоя InAs. Это указывает на то, что структуры SL во всех образцах выращены в хорошем режиме 2D роста, сохраняя кристаллическую структуру цинковой обманки, и нет никаких признаков выделения второй фазы.

Мы исследуем кристаллическую структуру и распределение Fe с помощью сканирующей просвечивающей электронной микроскопии (STEM) и энергодисперсионной рентгеновской спектроскопии (EDX). На рисунке 1c показаны результаты для образца, состоящего из FeAs (номинально 1 ML), зажатого между слоями InAs, выращенного на подложке InAs (001) с использованием той же процедуры выращивания и условий, описанных выше.Только кристаллическая структура цинковой обманки основного InAs наблюдается из изображения решетки STEM (левая панель рис. 1c). Контраст STEM напрямую связан с атомным номером, так что можно увидеть более темную горизонтальную линию с шириной примерно 3 ML, соответствующую слою FeAs. Результаты EDX-картирования атомов Fe также подтверждают распределение Fe в квази-ML, расположенном на расстоянии 10 нм от поверхности (правая панель рис. 1c). Вдоль направления роста z концентрация Fe следует нормальному распределению со стандартным отклонением σ = 0.45 нм, что соответствует 1.5 ML с использованием постоянной решетки InAs (рис. 3d). Отметим, что пространственное разрешение EDX составляет 3–4 ML, что больше σ . Таким образом, можно сделать вывод, что ультратонкие тетраэдрические слои FeAs успешно выращиваются в матрице InAs с цинковой обманкой, а атомы Fe в основном удерживаются в пределах толщины 2–3 МС.

Магнитные свойства структур FeAs / InAs SL

Мы исследовали магнитные свойства образца A0 – A4 с помощью магнитометрии с использованием магнитного кругового дихроизма (MCD) и сверхпроводящего квантового интерференционного устройства (SQUID).На рис. 2а показаны спектры МКД этих образцов, измеренные при 5 К и в магнитном поле H силой 1 Тл, приложенном перпендикулярно плоскости пленки. Спектры МКД образцов A1 – A4 имеют очень похожую форму с сильно усиленными пиками, близкими к энергиям оптических переходов в критических точках зонной структуры InAs с цинковой обманкой: E ₁ (2,61 эВ), E ₁ + Δ ₁ (2,88 эВ), E ₀ ′ (4,39 эВ) и E ₂ (4.74 эВ) ³ . Эти особенности аналогичны спектру МКД эталонного образца (In _0,94 , Fe _0,06 ) As (A0) той же толщины (12 нм). Этот результат показывает, что даже когда атомы Fe сильно сконцентрированы в 2D ультратонких слоях, зонная структура SL сохраняет основные свойства основного InAs, такие как запрещенная зона и большая часть зонной дисперсии. Этот вывод согласуется с их однофазной кристаллической структурой цинковой обманки, обнаруженной методом STEM.Более того, по сравнению со спектром МКД (In _0,94 , Fe _0,06 ) в качестве эталонного образца, интенсивность МКД SL FeAs / InAs в образце A2, который имеет почти такую ​​же среднюю концентрацию Fe (которая составляет 6,9% = 3 MLs / 43 MLs), в три раза сильнее. Это однозначно свидетельствует об усилении намагниченности и энергии спинового расщепления в зонной структуре СР FeAs / InAs, вероятно, из-за плотного распределения атомов Fe в плоскостях FeAs. Интенсивность MCD в образцах A2, A3, A4 остается почти постоянной, что может быть связано с небольшой глубиной проникновения видимого света в эти структуры (см. Дополнительное примечание 4).

a MCD-спектры образца A1 – A4 по сравнению со спектром контрольного образца (A0) толщиной 12 нм (In _0,94 , Fe _0,06 ) As. Все спектры измерены при 5 К и 1 Тл. b Зависимость интенсивности МКД от магнитного поля (кривые MCD– H ), измеренные при E ₁ в образце A1 – A4 при различных температурах. c Температура Кюри ( T _C ) как функция расстояния t _InAs между МС FeAs (розовые кружки).Также нанесены полосы погрешностей в 5 K, которые соответствуют минимальному температурному шагу в наших измерениях MCD– H . Это соотношение хорошо описывается кривой T _C ∝ t _InAs ⁻³ (пунктирная кривая). Значения T _C , рассчитанные по формуле. (2) с A = 250 (незакрашенные ромбики) также хорошо воспроизводят экспериментальные результаты. d Зависимость намагниченности образца A2 – A4 от магнитного поля, измеренная методом СКВИД-магнитометрии при 10 K в магнитном поле, перпендикулярном плоскости пленки.

Мы оцениваем T _C образца A1 – A4 по графикам Арротта ²¹ кривых MCD– H при различных температурах (рис. 2б), результаты которых представлены на рис. 2в. Все образцы проявляют ферромагнетизм, что противоречит предсказанию [5]. 12. Интересно, что T _C быстро увеличивается по мере уменьшения расстояния t _InAs между ML FeAs, что может быть приблизительно выражено как T _C \ (\ propto \) t _InAs ⁻³ .Это соотношение указывает на то, что межслоевое магнитное взаимодействие между слоями FeAs, которое, вероятно, обеспечивается электронными носителями, играет важную роль в индукции ферромагнетизма. Обратная третья степенная зависимость T _C от t _InAs может быть понята качественно следующим образом: если мы рассмотрим полный магнитный момент в каждом FeAs ML как макроскопический спин S и определим J _Sij как энергия обменного взаимодействия между магнитными моментами S i -го и j -го ML FeAs, разделенных расстоянием | i — j | t _InAs , J _Sij пропорционально ~ | i — j | ⁻² t _InAs ⁻² , что хорошо известно в магнитных многослойных системах с межслоевым взаимодействием типа RKKY ²² .{N} \ frac {1} {i} \ right) $$

(2)

, где A — постоянная пропорциональности. В уравнении. (2) первый член примерно в 1,5, 2,5, 3 и 4 раза больше, чем второй член для N = 1, 3, 5, 7 соответственно. Следовательно, учитывая соотношение N ∝ t _InAs ⁻¹ , если мы выразим T _C как t _InAs ^−γ , показатель степени γ будет близким значением к 3.Как видно на рис. 2c, значения T _C , рассчитанные с использованием уравнения. (2) с A = 250 (незакрашенные ромбики) хорошо воспроизводят экспериментальные результаты (розовые кружки). Важным следствием этого соотношения T _C \ (\ propto \) t _InAs ⁻³ является то, что мы получили бы ферромагнетизм при комнатной температуре в SL с t _InAs <3 МД, которые могут быть достигнуты путем оптимизации условий роста.

Другой важной особенностью структур FeAs / InAs SL является то, что они обладают большим магнитным моментом на атом Fe, равным 4,7–4,9 мкм _B . Как показано на рис. 2d, насыщенная намагниченность в образце A2 – A4, измеренная при 10 K в магнитном поле, перпендикулярном плоскости пленки с помощью СКВИД-магнитометрии, линейно увеличивается с увеличением количества слоев FeAs N . Эти впечатляющие результаты могут быть вызваны двумерным распределением атомов Fe, которые все соседствуют с InAs как на верхней, так и на нижней границе раздела.Это снижает симметрию вокруг атомов Fe, что может сильно усилить компонент их орбитального момента до такой же высокой, как у изолированного атома Fe (2 μ _B / Fe) ²³ . Это высокое значение магнитного момента также исключает возможность кластеров Fe, которые обычно имеют магнитный момент только 2,2 мкм _B / атом Fe (см. Дополнительное примечание 1). Это огромное улучшение по сравнению со случайным образом легированным Fe (In, Fe) As, в котором магнитный момент на атом Fe равен всего 1.8 μ _B , что соответствует отсутствию 64% магнитного момента Fe ³ . Этот результат хорошо согласуется с предсказанием расчетов из первых принципов о том, что FM-взаимодействия между атомами Fe в InAs могут быть сильно усилены, если расстояние между атомами Fe уменьшается ¹⁷ .

Магнитосопротивление (MR) в структурах FeAs / InAs SL

Транспортные свойства структур FeAs / InAs SL, исследованные в узорчатых стержнях Холла размером 50 × 200 мкм ² , также существенно зависят от t _InAs .Как показано на рис. 3а, температурная зависимость удельного сопротивления изменяется от металлического поведения в образцах A1 и A2 до изоляционного поведения в образцах A3 и A4. В частности, при низких температурах удельное сопротивление резко увеличивается на 5 порядков при уменьшении t _InAs с 20 МС (образец А1) до 5 МС (образец А4). Однако удельное сопротивление значительно уменьшается при приложении внешнего магнитного поля H , перпендикулярного плоскости пленки. Уменьшение удельного сопротивления при нанесении H особенно сильно в образцах с высоким удельным сопротивлением.На рисунке 3b показано MR, где соотношение MR определяется как MR ( H ) = [ R (0) — R ( H )] / R ( H ) × 100% в образце A4. , измеренные с H перпендикулярно плоскости пленки при различных температурах. Открытый и закрытый символы на кривой MR при каждой температуре соответствуют отношениям MR при движении магнитного поля слева направо и справа налево, соответственно. На рис. 3в показана температурная зависимость MR. Наблюдались чрезвычайно большие отношения MR (максимум ~ 500% при 2 К и 10 кЭ) с четким гистерезисом.С повышением температуры коэффициент MR заметно уменьшается в корреляции с уменьшением удельного сопротивления и сокращается до уровня ниже 1% при температурах выше T _C (80 K). На рис. 3d показаны кривые MR в четырех образцах SL A1 – A4, измеренные при 4 K с H до 1 T. Можно видеть, что отношение MR быстро увеличивается от 1 → 27 → 82 → 224% при переходе от образец A1 до A4, в соответствии с уменьшением t _InAs и увеличением удельного сопротивления.

a Температурная зависимость удельного сопротивления в образце A1 – A4. Удельное сопротивление измеряли четырехполюсным методом на холловских стержнях размером 50 × 200 мкм ² (вставка). b Кривые магнитосопротивления (MR), измеренные в образце A4 при различных температурах T = 2–10 K, при приложении магнитного поля, перпендикулярного плоскости пленки. Коэффициент MR определяется как MR ( H ) = [ R (0) — R ( H )] / R ( H ) × 100%.Открытый и закрытый символы на кривой MR при каждой температуре соответствуют отношениям MR при движении магнитного поля слева направо и справа налево, соответственно. c Отношение MR при H = 10 кЭ в зависимости от температуры в образце A4. d Кривые MR, измеренные на образце A1 – A4 при 4 K при приложении магнитного поля, перпендикулярного плоскости пленки. Открытый и закрытый символы соответствуют противоположным направлениям движения магнитного поля, как описано в ( b ). e Отношение MR при H = 10 кЭ в зависимости от расстояния t _InAs между слоями FeAs. Отношения могут быть хорошо подогнаны по формуле. (4) (пунктирная кривая).

Сильная корреляция между удельным сопротивлением и отношением MR ясно означает, что спин-зависимое рассеяние носителей проводимости, которыми являются электроны, как показывают измерения Холла, является доминирующим механизмом рассеяния в этих образцах SL FeAs / InAs. Отметим, что здесь ситуация очень похожа на хорошо известный случай многослойных структур, состоящих из ферромагнитных (FM) / немагнитных (NM) металлических слоев, в которых обычно наблюдается гигантское магнитосопротивление (GMR).Здесь слои FeAs и прокладки InAs играют роль FM- и NM-слоев соответственно. Таким образом, мы использовали стандартную модель проводимости с двумя носителями, обычно используемую для GMR, для анализа большого MR, наблюдаемого в наших образцах SL. {2}} {4 \ alpha} $$

(3)

с α = ρ _↓ / ρ _↑ — параметр спиновой асимметрии.Из-за спин-зависимого рассеяния на границах раздела слоев FeAs, α в значительной степени отклоняется от 1. Используя уравнение. (3) для MR образца A4 (~ 500% при 2 K) мы имеем чрезвычайно большое значение α = 22. Есть две возможные причины этого гигантского значения α : во-первых, оно может происходить из большое спиновое расщепление в зоне проводимости СР FeAs / InAs, как показали результаты МКД (рис. 2). Стоит отметить, что для случая (In, Fe) As мы ранее наблюдали полуметаллическую структуру зоны проводимости ⁷ .Во-вторых, это может происходить из-за высокой спиновой поляризации в плотности состояний слоев FeAs с цинковой обманкой, поскольку полуметаллическая плотность состояний была предсказана для объемного FeAs расчетами из первых принципов ¹² .

Основываясь на теоретической структуре GMR ²⁴ , мы количественно объясняем зависимость MR от t _InAs , показанную на рис. 3e. В мультислоях FM / NM, где присутствует GMR, зависимость отношения MR от толщины слоя NM ( t _InAs ) выражается как

$$ {\ rm {MR}} = {{MR}} _ {0} \ frac {{{\ exp}} \ left (- \ frac {{t} _ {\ text {InAs}}} {{l} _ {\ text {InAs}}} \ right)} {\ left (1+ \ frac {{t} _ {\ text {InAs}}} {{d} _ {0}} \ right)} $$

(4)

Здесь MR ₀ — постоянная величины MR, l _InAs — длина свободного пробега электронов в спейсере InAs, d ₀ — эффективная длина, представляющая шунтирование тока в Слои FeAs.Как показано на рис. 3e, уравнение. (4) очень хорошо согласуется с экспоненциальной t _InAs -зависимостью MR с MR ₀ = 2700%, l _InAs = 1,1 нм (~ 4 ML InAs) и d ₀ = 0,6 нм. Короткая длина свободного пробега l _InAs из 4 ML почти равна толщине спейсера InAs в образце A4 ( t _InAs = 5 ML). Этот результат согласуется с тем фактом, что спин-зависимое рассеяние происходит в основном на границах раздела FeAs / InAs.С другой стороны, значение d ₀ = 0,6 нм близко к уширению ( σ = 0,45 нм) слоев FeAs, наблюдаемому методами EDX и STEM (рис. 1). Эти хорошие соглашения убедительно свидетельствуют о том, что чрезвычайно большие MR в наших образцах SL могут быть хорошо поняты с помощью модели GMR в магнитных многослойных системах на основе полупроводников. Эти результаты также предполагают, что даже более высокие отношения MR могут быть получены в SL путем оптимизации параметра структуры, в частности, с использованием меньшего размера t _InAs .

Электрический контроль GMR в структурах FeAs / InAs SL

Одним из основных преимуществ наших магнитных многослойных структур на основе полупроводников перед металлическими является возможность управлять свойствами MR с помощью напряжения затвора В _G . Как показано на рис. 4a, мы формируем структуру двойного электрического полевого транзистора (EDLT), используя стержень Холла образца A2 ( N = 3, t _InAs = 10 ML) (см. «Методы» ). Как показано на рис.4b и c, сопротивление и концентрация листовых электронов n _2D в образце A2 систематически контролируются путем применения V _G . Изменение n _2D невелико, всего 15,5% при В _G = 5 В и –7,5% при В _G = –3 В. Однако, как показано на рис. 4d, получены значительные изменения в кривых MR: отношение MR при H = 10 кЭ уменьшается с 29,2% при В _G = 0 В до 22% при В _G = 5 В и увеличивается до 32.3% при В _G = –3 В. Опять же наблюдается увеличение (уменьшение) отношения MR в соответствии с увеличением (уменьшением) удельного сопротивления. С увеличением концентрации электронов спин-зависимое рассеяние электронных носителей на границе FeAs / InAs подавляется из-за усиленного эффекта экранирования, что приводит к соответствующему уменьшению отношения MR.

a Двухслойная электрическая транзисторная структура, сформированная на образце A2 (см. «Метод»). b Сопротивление и c Пластинчатая плотность электронов ( n _2D ) в структуре FeAs / InAs SL при различных температурах и разных напряжениях затвора В _G = –3, 0,5 В. d Кривые MR, измеренные в СР FeAs / InAs при 2 К с различными напряжениями затвора В _G = –3, 0, 5 В, в магнитном поле, приложенном перпендикулярно плоскости пленки. Эти кривые MR демонстрируют явный гистерезис из-за ферромагнетизма в образце A2.В скобках после напряжений затвора указаны значения коэффициента MR.

Перевод в англо-немецком словаре LEO

Aktivieren Sie JavaScript für mehr Features und höhere Geschwindigkeit beim Abfragen.