Обманка: Недопустимое название — Викисловарь

Содержание

Обманка — Аксессуары

3 шт.
4 шт.

Код товара: 558861

Обманка бортового компьютера 12V PHILIPS CANBUS h21 2шт

Артикул: 18954C2 PHILIPS Производитель PHILIPS 18954C2

МКАД 3 шт. ОСТШ 0 шт. ЛЕСК 0 шт. Интернет 3 шт.

1 750 ₽

Товар в Корзине
  • 1
  • 2
  • 3
  • 4
  • 5
  • больше
  • удалить

В наличии

1 650 ₽

Товар в Корзине
  • 1
  • 2
  • 3
  • 4
  • 5
  • больше
  • удалить

В наличии

МКАД 3 шт. ОСТШ 0 шт. ЛЕСК 0 шт. Интернет 3 шт.

1 700 ₽

Товар в Корзине
  • 1
  • 2
  • 3
  • 4
  • 5
  • больше
  • удалить

В наличии

550 ₽

Товар в Корзине
  • 1
  • 2
  • 3
  • 4
  • 5
  • больше
  • удалить

В наличии

Код товара: 548344

Обманка бортового компьютера OSRAM 21W 2шт

Артикул: LEDCBCTRL102 OSRAM Производитель OSRAM LEDCBCTRL102

МКАД
2 шт.
ОСТШ 0 шт. ЛЕСК 0 шт. Интернет 2 шт.

1 150 ₽

Товар в Корзине
  • 1
  • 2
  • 3
  • 4
  • 5
  • больше
  • удалить

В наличии

Код товара: 405508

Обманка бортового компьютера OSRAM 5W 2шт

Артикул: LEDCBCTRL101 OSRAM Производитель OSRAM LEDCBCTRL101

МКАД 1 шт. ОСТШ 0 шт. ЛЕСК 0 шт. Интернет 1 шт.

1 080 ₽

Товар в Корзине
  • 1
  • 2
  • 3
  • 4
  • 5
  • больше
  • удалить

В наличии

Код товара: 550520

Обманка датчика кислорода c мини катализатором Евро 5 прямая TRANSMASTER

Артикул: 00080 Производитель TRANSMASTER 00.080

МКАД 0 шт. ОСТШ 0 шт. ЛЕСК
2 шт.
Интернет 0 шт.

1 350 ₽

Товар в Корзине
  • 1
  • 2
  • 3
  • 4
  • 5
  • больше
  • удалить

Интернет: нет в наличии

Код товара: 434703

Обманка датчика кислорода ЕВРО 2/3

Артикул: 000100 FORTLUFT Производитель FORTLUFT 000100

МКАД 3 шт. ОСТШ 13 шт. ЛЕСК 0 шт. Интернет 3 шт.

950 ₽

Товар в Корзине
  • 1
  • 2
  • 3
  • 4
  • 5
  • больше
  • удалить

В наличии

Код товара: 550522

Обманка датчика кислорода ЕВРО 2/3 механическая вкручивающаяся TRANSMASTER

Артикул: 00100 Производитель TRANSMASTER 00.100

МКАД 0 шт. ОСТШ 3 шт. ЛЕСК 4 шт. Интернет 0 шт.

400 ₽

Товар в Корзине
  • 1
  • 2
  • 3
  • 4
  • 5
  • больше
  • удалить

Интернет: нет в наличии

Код товара: 550521

Обманка датчика кислорода с керамическим мини катализатором Евро 5 прямая короткая

Артикул: 00070 Производитель TRANSMASTER 00.070

МКАД 0 шт. ОСТШ 1 шт. ЛЕСК 1 шт. Интернет 0 шт.

1 200 ₽

Товар в Корзине
  • 1
  • 2
  • 3
  • 4
  • 5
  • больше
  • удалить

Интернет: нет в наличии

Код товара: 429195

Обманка датчика кислорода с миникатализатором (90°) Евро-4

Артикул: 000090 FORTLUFT Производитель FORTLUFT 000090

МКАД 6 шт. ОСТШ 1 шт. ЛЕСК 0 шт. Интернет 6 шт.

2 680 ₽

Товар в Корзине
  • 1
  • 2
  • 3
  • 4
  • 5
  • больше
  • удалить

В наличии

Код товара: 429196

Обманка датчика кислорода с миникатализатором Евро-4

Артикул: 000180 FORTLUFT Производитель FORTLUFT 000180

МКАД 6 шт. ОСТШ 3 шт. ЛЕСК 0 шт. Интернет 6 шт.

2 310 ₽

Товар в Корзине
  • 1
  • 2
  • 3
  • 4
  • 5
  • больше
  • удалить

В наличии

Код товара: 532931

Обманка датчика кислорода с миникатализатором Евро5 угловая

Артикул: 00060 Производитель TRANSMASTER 00.060

МКАД 0 шт. ОСТШ 0 шт. ЛЕСК 2 шт. Интернет 0 шт.

1 390 ₽

Товар в Корзине
  • 1
  • 2
  • 3
  • 4
  • 5
  • больше
  • удалить

Интернет: нет в наличии

RS51464 Обманка датчика кислорода ЕВРО-4 — RS-51464

RS51464 Обманка датчика кислорода ЕВРО-4 — RS-51464 — фото, цена, описание, применимость. Купить в интернет-магазине AvtoAll.Ru Распечатать

31

1

Артикул: RS-51464

Код для заказа: 931949

Есть в наличии

Доступно для заказа>10 шт.Данные обновлены: 02.09.2021 в 00:30

Код для заказа 931949 Артикулы RS-51464 Производитель PRO SPORT Каталожная группа: ..Система выпуска газов двигателя
Двигатель
Ширина, м: 0.025 Высота, м: 0.025 Длина, м: 0.06 Вес, кг: 0.069

Отзывы о товаре

Сертификаты

Обзоры

Наличие товара на складах и в магазинах, а также цена товара указана на 02.09.2021 00:30.

Цены и наличие товара во всех магазинах и складах обновляются 1 раз в час. При достаточном количестве товара в нужном вам магазине вы можете купить его без предзаказа.

Интернет-цена — действительна при заказе на сайте или через оператора call-центра по телефону 8-800-600-69-66. При условии достаточного количества товара в момент заказа.

Цена в магазинах — розничная цена товара в торговых залах магазинов без предварительного заказа.

Срок перемещения товара с удаленного склада на склад интернет-магазина.

Представленные данные о запчастях на этой странице несут исключительно информационный характер.

7a81360ad5dd9237bb078b5bb12eab98

Добавление в корзину

Код для заказа:

Доступно для заказа:

Кратность для заказа:

Добавить

Отменить

Товар успешно добавлен в корзину

!

В вашей корзине на сумму

Закрыть

Оформить заказ

Захарова и Пушков прокомментировали форму сборной Украины

«Отчаянной художественной акцией» назвала официальный представитель МИД России Мария Захарова намерение украинской сборной выступить на Евро-2020 в форме, на которой Крым обозначен как украинский. Объяснение того, что Киев «присоединил территорию Украины к российскому Крыму», по словам Захаровой, столько же метафизическое, как и сама эта акция: это якобы должно придать игрокам сил.

«Жаль, что только на это вся надежда», – написала Захарова в «Фейсбук», отметив: прием не новый. Это, по ее словам, тромплей или, по-русски, обманка, создающая иллюзию невозможного, либо, напротив, представление доступного, осязаемого, но на деле несуществующего.

Что касается нанесенного на форму украинских футболистов лозунга «Слава Украине – героям Слава» и пресловутых националистических кричалок, которым предстоит «радовать зрителей ЧЕ по футболу», то это, по словам Захаровой, лишь очередная попытка киевской государственной пропаганды закрепить в общественном сознании лозунг, связанный у многих на Украине и за ее пределами с Украинской повстанческой армией (УПА, запрещена в России), Степаном Бандерой и их преступлениями в годы Второй мировой войны.

В Киеве, говорит Захарова, хотят «дистанцировать этот лозунг от его неудобного происхождения и наполнить его новым позитивным смыслом» для восприятия его по всему миру исключительно как прогрессивного и максимально созвучного глобальной повестке дня. Однако корни этого лозунга, напоминает она, вполне очевидны: это калька с известного немецкого национал-социалистического приветствия, которая полностью копирует германский нацистский аналог. Организаторы и зрители чемпионата Европы по футболу, говорит Захарова, должны это знать.

Тем временем российский сенатор Алексей Пушков назвал идею выступления украинских футболистов на Евро-2020 в форме с очертаниями страны, включающими территорию Крыма, «пустой затеей». Глава комиссии Совета Федерации по информационной политике советует украинской сборной выступать в форме с контурами Атлантиды. Крым, написал Пушков в «Твиттере», попрощался с Украиной, а вот на Атлантиду заявки открыты – ведь «в Киеве есть убежденные, что украинцы пошли от атлантов».

Платье-обманка с плиссированной юбкой Rinascimento

Подробнее о товаре

Подробнее о товаре

Состав

Нижняя часть: полиэстер 100% Верхняя часть: полиэстер 96% эластан 4%

Основная страна производства

ИТАЛИЯ

Стиль

торжественный

Застежка

молния

Размер товара на фотографии

S

Параметры модели (см)

179-87-63-91

Общая длина изделия (см)

145

Обхват груди (см)

84

Обхват талии (см)

68

Отзывы

Оставьте отзыв или задайте вопрос консультанту

У этого товара пока нет отзывов. Поделитесь своим мнением, если уже покупали этот товар. Если Вы хотите задать вопрос — напишите комментарий. Служба поддержки СТОКМАНН ответит на него в ближайшее время.

Загадки обманки для детей с ответами

Загадки обманки — умопомрачительно весёлые загадки с неожиданными ответами для детей и их родителей.

В чем суть загадок обманок?

Суть загадок обманок для детей в том, что ответ, который хочется дать в рифму стишка, не является правильным.

Как правильно разгадывать загадки обманки?

Загадки обманки с ответами заканчиваются словом в рифму, но ответ должен быть совершенно не таким. Прочитайте полностью стишок и, вы увидите, что «на автомате» как дети, так и взрослые дают неверный ответ. Нужно совсем немножечко подумать, чтобы догадаться, какое слово является разгадкой на самом деле.

ВНИМАНИЕ: Правильный ответ указан в скобках при нажатии на слово «ответ».

Белым снегом всё одето —
Значит, наступает …

лето (зима)

ОТВЕТ

Ночью каждое оконце
Слабо освещает …

солнце (луна)

ОТВЕТ

Друг зверей и друг детей
Добрый доктор …

Бармалей (Айболит)

ОТВЕТ

Кукарекает спросонок
Милый, добрый …

поросёнок (петух)

ОТВЕТ

Высокий, длинноногий,
Летать ему не лень —
На крыше из соломы
Устроился …

олень (аист)

ОТВЕТ

Лишь только свет дневной потух,
заухал в темноте …

петух (филин)

ОТВЕТ

Чик-чирик! Чик-чирик! —
Кто поднял веселый крик?
Эту птицу не пугай!
Расшумелся …

попугай (воробей)

ОТВЕТ

Под деревом четыре льва,
Один ушёл, осталось …

два (три)

ОТВЕТ

Нашёл пять ягодок в траве
И съел одну, осталось …

две (четыре)

ОТВЕТ

Мышь считает дырки в сыре:
Три плюс две — всего …

четыре (пять)

ОТВЕТ

Кто взлетит с цветка вот-вот?
Разноцветный …

бегемот (мотылёк)

ОТВЕТ

С пальмы вниз, на пальму снова
Ловко прыгает …

корова (обезьяна)

ОТВЕТ

Простой вопрос для малышей:
Кого боится кот?..

мышей (собак)

ОТВЕТ

Хвост веером, на голове корона.
Нет птицы краше, чем …

ворона (павлин)

ОТВЕТ

Мимо улья проходил
Косолапый …

крокодил (медведь)

ОТВЕТ

В чаще, голову задрав,
воет с голоду …

жираф (волк)

ОТВЕТ

Дочерей и сыновей
учит хрюкать …

соловей (кабан)

ОТВЕТ

Кто грызёт на ветке шишку?
Ну, конечно, это …

мишка (белка)

ОТВЕТ

Ква-ква-ква — какая песня!
Что быть может интересней,
Что быть может веселей?
А поет вам …

соловей (лягушка)

ОТВЕТ

Скорей на берег выбегай!
Плывет зубастый …

попугай (крокодил)

ОТВЕТ

Как? Неизвестно до сих пор:
секрет и есть секрет,
зверь этот, словно светофор,
свой изменяет цвет.
В зелёный, жёлтый… Напугай —
и покраснеет …

попугай (хамелеон)

ОТВЕТ

Cъела зайчонка и ловит второго
огненно-рыжая злая …

корова (лиса)

ОТВЕТ

Он пиявок добывал,
Карабасу продавал,
Весь пропах болотной тиной,
Его звали…

Буратино (Дуремар)

ОТВЕТ

Он гулял по лесу смело,
Но лиса героя съела.
На прощанье спел бедняжка.
Его звали …

Чебурашка (Колобок)

ОТВЕТ

Много дней он был в пути,
Чтоб жену свою найти,
А помог ему клубок,
Его звали …

Колобок (Иван-Царевич)

ОТВЕТ

И красива, и мила,
Только очень уж мала!
Стройная фигурочка,
А зовут …

Снегурочка (Дюймовочка)

ОТВЕТ

Я красивый, я летаю,
А весной от солнца таю.
Угадайте поскорей,
Кто же это? …

воробей (снег)

ОТВЕТ

Он большой шалун и комик,
У него на крыше домик.
Хвастунишка и зазнайка,
А зовут его …

Незнайка (Карлсон)

ОТВЕТ

Утром рано я встаю,
Молочком всех напою,
Травку я жую за речкой,
А зовусь я как? …

овечка (корова)

ОТВЕТ

Жил в бутылке сотни лет,
Наконец, увидел свет,
Бородою он оброс,
Этот добрый …

Дед Мороз (Старик Хоттабыч)

ОТВЕТ

Все меня боятся —
Я могу кусаться,
Я летаю и пищу —
Жертву я себе ищу,
Ночью мне уж не до игр,
Угадали, кто я? …

тигр (комар)

ОТВЕТ

Я лаю и кусаю,
Я дом ваш охраняю,
Всегда смотрю во все глаза,
А как зовут меня? …

коза (собака)

ОТВЕТ

С голубыми волосами
И огромными глазами,
Эта куколка — актриса,
А зовут ее …

Алиса (Мальвина)

ОТВЕТ

И капризна, и упряма,
В детский сад не хочет …

мама (дочка)

ОТВЕТ

На прививки и уколы
Мамы деток водят в …

школы (поликлиники)

ОТВЕТ

О нас — blender.org

Blender под лицензией GNU GPL, принадлежащей его участникам.
По этой причине Blender навсегда останется бесплатным и открытым исходным кодом.

Наша миссия

Получите лучшую в мире технологию 3D CG в руки художников в виде бесплатного программного обеспечения с открытым исходным кодом.

Наше видение

Каждый должен иметь право создавать 3D CG-контент с бесплатными техническими и творческими средствами производства и свободным доступом к рынкам.

Организация

The Blender Foundation (2002) — независимая общественная благотворительная организация.Его дочерняя корпорация Blender Institute (2007) размещает офисы фонда и в настоящее время нанимает 24 человека, которые работают над программным обеспечением Blender и творческими проектами для проверки и тестирования Blender в производственных средах.

В 2020 году институт разделился на две компании; Blender Institute теперь функционирует исключительно как рабочая компания для Blender Foundation, а новая Blender Studio внесет свой вклад в миссию Blender по созданию контента и тестированию производственных конвейеров.

Эти организации поддерживают сообщество участников Blender.орг. Вот где создается Blender.

Как финансируется Blender.

Программное обеспечение

Blender — это бесплатный пакет для создания 3D-изображений с открытым исходным кодом. Он поддерживает весь трехмерный конвейер — моделирование, оснастку, анимацию, симуляцию, рендеринг, композицию и отслеживание движения, даже редактирование видео и создание игр. Опытные пользователи используют API Blender для написания сценариев Python для настройки приложения и написания специализированных инструментов; часто они включаются в будущие выпуски Blender.Blender хорошо подходит для частных лиц и небольших студий, которые извлекают выгоду из его унифицированного конвейера и гибкого процесса разработки. Примеры из многих проектов на основе Blender доступны в витрине.

Blender является кроссплатформенным и одинаково хорошо работает на компьютерах Linux, Windows и Macintosh. Его интерфейс использует OpenGL для обеспечения единообразия. Чтобы подтвердить конкретную совместимость, в списке поддерживаемых платформ указаны те, которые регулярно тестируются командой разработчиков.

В качестве проекта, управляемого сообществом под Стандартной общественной лицензией GNU (GPL), общественность имеет право вносить небольшие и большие изменения в кодовую базу, что приводит к новым функциям, быстрым исправлениям ошибок и лучшему удобству использования.У Blender нет ценника, но вы можете инвестировать, участвовать и способствовать развитию мощного инструмента для совместной работы: Blender — это ваше собственное программное обеспечение для 3D.

Дополнительная помощь всегда приветствуется! От разработки и улучшения Blender до написания документации и т. Д. Вы можете принять участие во многих вещах.

Филиалы

Blender Foundation является членом Open Invention Network, Khronos, Linux Foundation и Academy Software Foundation.

Лицензия

Blender — бесплатное программное обеспечение.Вам бесплатно , чтобы использовать Blender для любых целей, в том числе в коммерческих или образовательных целях. Эта свобода определяется Стандартной общественной лицензией GNU (GPL) Blender.

Подробнее о лицензии.

обманка — Викисловарь

См. Также: обманка

Содержание

  • 1 Английский
    • 1.1 Альтернативные формы
    • 1.2 Этимология
    • 1.3 Произношение
    • 1.4 существительное
      • 1.4.1 Переводы
    • 1.5 Анаграммы
  • 2 Голландский
    • 2.1 Произношение
    • 2.2 Этимология 1
      • 2.2.1 Существительное
        • 2.2.1.1 Производные условия
    • 2.3 Этимология 2
      • 2.3.1 Глагол
  • 3 Французский
    • 3,1 существительное
  • 4 Немецкий
    • 4,1 Глагол
  • 5 Венгерский
    • 5.1 Этимология
    • 5.2 Произношение
    • 5.3 Существительное
      • 5.3.1 Склонение
    • 5.4 Ссылки
  • 6 Итальянский
    • 6.1 Произношение
    • 6.2 Существительное

Английский [править]

Альтернативные формы [править]

  • слепой, слепой

Этимология [править]

Из немецкого Blende , из blenden («обмануть») (потому что он похож на галенит).

Произношение [править]

  • IPA (ключ) : / blɛnd /
  • Гомофон: смесь

Существительное [править]

обманка ( счетное и несчетное , множественное число обманка )

  1. (минералогия) сфалерит (встречающийся в природе сульфид цинка)
    • 2006 , Томас Пинчон, Против дня , Винтаж 2007, стр. 310:
      Процедура здесь с обычной местной цинковой обманкой была простой — сначала вы получали серу, чтобы испариться, обжигая обманку до оксида цинка, а затем вы восстанавливали оксид до металлического цинка.
Переводы [править]
сфалерит — см. сфалерит

Анаграммы [править]

  • Belden, Bendel, Bendel

Произношение [править]

  • IPA (ключ) : /ˈblɛn.də/
  • Аудио (файл)
  • Расстановка переносов: blen‧de
  • Рифмы: -ɛndə

Этимология 1 [править]

Заимствовано у немецкой компании Blende .

Существительное [править]

обманка f ( бесчисленное количество )

  1. сульфид металла, в частности обманка
Производные термины [править]
  • pekblende

Этимология 2 [править]

См. Этимологию соответствующей формы леммы.

Глагол [править]

обманка

  1. (архаичный) единственное число настоящее сослагательное наклонение blenden

Существительное [править]

обманка м ( множественное число обманка )

  1. (минералогия) обманка

Глагол [править]

обманка

  1. перегиб blenden :
    1. настоящее время от первого лица в единственном числе
    2. первое / третье лицо единственного числа сослагательного наклонения I
    3. императив единственного числа

Венгерский [править]

Этимология [править]

Заимствовано у немецкого Blende , у blenden («слепить»). [1]

Произношение [править]

  • IPA (ключ) : [blɛndɛ]
  • Расстановка переносов: blen‧de
  • Рифмы: -dɛ

Существительное [править]

blende ( множественное число blendék )

  1. (фотография) диафрагма (отверстие фотографического объектива, которое можно отрегулировать для управления количеством проходящего через него света)
    Синоним: rekesz
Cклонение [править]
Перегиб (основа в долгом / высоком гласном, передняя неокругленная гармония)
единственное число множественное число
именительный падеж обманка blendék
винительный падеж смесь blendéket
дательный падеж blendének blendéknek
инструментальный blendével blendékkel
причинно-конечный blendért blendékért
перевод blendévé blendékké
терминатор blendéig blendékig
формальный блендекент blendékként
эссивно-модальный
инессивный blendében blendékben
супрессивный blendén blendéken
адессивный blendénél blendéknél
ил. blendébe blendékbe
сублатив blendére blendékre
аллатив blendéhez blendékhez
родной blendéből blendékből
условный blendéről blendékről
аблатив blendétől blendéktől
неатрибутивный
притяжательный — единственное число
смешанный blendéké
неатрибутивный
притяжательный — множественное число
blendééi blendékéi
Притяжательные формы обманки
владелец единоличное владение несколько владений
1-е лицо поет. Tótfalusi, István. Idegenszó-tár: Idegen szavak értelmező és etimológiai szótára («Хранилище иностранных слов: толково-этимологический словарь иностранных слов»). Будапешт: Тинта Кёнивкиадо, 2005. → ISBN

итальянский [править]

Произношение [править]

  • Рифмы: -ɛnde

Существительное [править]

обманка f

  1. множественное число blenda

Blende | Дискография | Дискоги

Синглы и EP

HR008 обманка Дискотека.5.B (EP) 2 версии Домашние записи HR008 Германия 2006 Продать эту версию 2 версии
плазма 007 Дайсон * vs.Обманка Дайсон * против Бленде — Клубное оружие (EP) 2 версии Plasmapool Productions плазма 007 Германия 2006 Продать эту версию 2 версии
HR010 обманка Get Lost EP (EP) 2 версии Домашние записи HR010 Германия 2007 Продать эту версию 2 версии
ЛОТ49032 Дилан Раймс против.Исполнитель: Blende Feat. Odissi Дилан Раймс против. Исполнитель: Blende Feat. Одисси — Звезды (12 дюймов) Лот49 ЛОТ49032 UK 2008 Продать эту версию
RIOT006 обманка УРХ! EP (3xФайл, MP3, EP, 320) Записи Teenage Riot RIOT006 Канада 2010
541416505598 обманка Фальшивая любовь (12 дюймов) Eskimo Recordings 541416505598 Бельгия 2012 Продать эту версию
541416506132D обманка Рикки (Одинокий) 3 версии Eskimo Recordings 541416506132D Бельгия 2013 Продать эту версию 3 версии
LABOMBE0021 Blende & Surrender! Blende & Surrender! — Synapse EP (3xФайл, MP3, EP, 320) La Bombe LABOMBE0021 UK 2013
541416 506500D обманка Paramount EP (3xFile, WAV, EP) Eskimo Recordings 541416 506500D Бельгия 2014

Разное

ЛОТ49038 30 Гц / Blende 30 Гц / Blende — Двойной A (AA) Vol.3 (2xФайл, MP3, 320) Лот49 ЛОТ49038 UK 2008
TBASS20 обманка Северная школа (4xFile, MP3, 320) Tigerbass Records TBASS20 США 2009
RIOT002 обманка Так хорошо (2xФайл, MP3, 320) Записи Teenage Riot RIOT002 Канада 2010
LABOMBE0005 обманка Египетский / Односторонний (3xFile, MP3, 320) La Bombe LABOMBE0005 UK 2011
LABOMBE0007 обманка Слова (2xФайл, MP3, 320) La Bombe LABOMBE0007 UK 2011
541416506853D обманка Бег (3xFile, MP3, 320) Eskimo Recordings 541416506853D Швеция 2014

Произошла ошибка при настройке пользовательского файла cookie

Этот сайт использует файлы cookie для повышения производительности.Если ваш браузер не принимает файлы cookie, вы не можете просматривать этот сайт.


Настройка вашего браузера для приема файлов cookie

Существует множество причин, по которым cookie не может быть установлен правильно. Ниже приведены наиболее частые причины:

  • В вашем браузере отключены файлы cookie. Вам необходимо сбросить настройки вашего браузера, чтобы он принимал файлы cookie, или чтобы спросить вас, хотите ли вы принимать файлы cookie.
  • Ваш браузер спрашивает вас, хотите ли вы принимать файлы cookie, и вы отказались.Чтобы принять файлы cookie с этого сайта, нажмите кнопку «Назад» и примите файлы cookie.
  • Ваш браузер не поддерживает файлы cookie. Если вы подозреваете это, попробуйте другой браузер.
  • Дата на вашем компьютере в прошлом. Если часы вашего компьютера показывают дату до 1 января 1970 г., браузер автоматически забудет файл cookie. Чтобы исправить это, установите правильное время и дату на своем компьютере.
  • Вы установили приложение, которое отслеживает или блокирует установку файлов cookie.Вы должны отключить приложение при входе в систему или проконсультироваться с системным администратором.

Почему этому сайту требуются файлы cookie?

Этот сайт использует файлы cookie для повышения производительности, запоминая, что вы вошли в систему, когда переходите со страницы на страницу. Чтобы предоставить доступ без файлов cookie потребует, чтобы сайт создавал новый сеанс для каждой посещаемой страницы, что замедляет работу системы до неприемлемого уровня.


Что сохраняется в файле cookie?

Этот сайт не хранит ничего, кроме автоматически сгенерированного идентификатора сеанса в cookie; никакая другая информация не фиксируется.

Как правило, в файлах cookie может храниться только информация, которую вы предоставляете, или выбор, который вы делаете при посещении веб-сайта. Например, сайт не может определить ваше имя электронной почты, пока вы не введете его. Разрешение веб-сайту создавать файлы cookie не дает этому или любому другому сайту доступа к остальной части вашего компьютера, и только сайт, который создал файл cookie, может его прочитать.

Blende — Rikki | Эскимосские записи

  • Цифровой альбом

    потоковое + скачать

    Включает неограниченную потоковую передачу через бесплатное приложение Bandcamp, а также высококачественную загрузку в MP3, FLAC и других форматах.

    Можно приобрести с подарочной картой

    Купить цифровой альбом 3 евро евро или больше
    Отправить как подарок

  • Поделиться / Встроить

около

После его прорывного релиза Fake Love on Eskimo — при поддержке A-Trak, Airplane, Yuksek, Dimitri from Paris и The Magician — и нескольких ремиксов для таких, как Lana Del Rey, Skrillex, Azari + III и Two Door Cinema Club , теперь он вернулся с этим новым уникальным усилием.«Rikki» — это лучшая танцевальная инди-мелодия, которая снова предлагает щедрую дозу ню-диско, сочетая старую школу с новой.

кредитов

выпущено 30 сентября 2013 г.

лицензия

все права защищены

Ферромагнетизм и гигантское магнитосопротивление в монослоях FeAs с цинковой обманкой, встроенных в полупроводниковые структуры

Рост и кристаллическая структура структур FeAs / InAs SL

Выращивание SL FeAs / InAs с кристаллической структурой цинковой обманки является очень сложной задачей из-за низкой растворимости Fe в полупроводниках AIIIBV, что легко вызывает сегрегацию атомов и фазовое разделение.Действительно, на сегодняшний день нет сообщений об объемной структуре FeAs с цинковой обманкой, хотя теоретически предсказано, что в ней будет присутствовать полуметаллическая зонная структура 12 . В данной работе мы выращивали структуры FeAs / InAs SL на подложках InAs (001) или полуизолирующем GaAs (001) с использованием специальной техники низкотемпературной молекулярно-лучевой эпитаксии (LT-MBE). При росте на подложках GaAs, как показано на рис. 1а, мы выращиваем слой AlSb толщиной 500 нм при температуре роста T S = 470 ° C на AlAs / GaAs толщиной 10 нм (001 ) подложку перед выращиванием структур SL, чтобы получить гладкий буферный слой с согласованной решеткой.Затем T S уменьшается до 220 ° C, и мы выращиваем структуру FeAs / InAs SL, состоящую из N периодов InAs ( t InAs ML) / FeAs (номинально 1 ML), и, наконец, покрывающий слой InAs ( t InAs MLs). Слои InAs и FeAs выращиваются со скоростью 500 нм / ч и 250 нм / ч соответственно, для чего мы откалибровали поток Fe так, чтобы он составлял ровно половину потока In (см. «Методы»). Мы выращивали серию образцов, пронумерованных от А1 до А4, с параметрами толщины ( N , t InAs ) = (1, 20), (3,10), (5, 7), (7 , 5) соответственно.Здесь общие толщины SL FeAs / InAs во всех образцах (A1 – A4) практически фиксируются на уровне 41–47 МС, что равняется 12.4–14 нм. Следовательно, расстояние между слоями FeAs, t InAs , обратно пропорционально N . Для справки мы также выращиваем образец A0, состоящий из структуры (In, Fe) As (6% Fe, 7 нм) / InAs (5 нм) толщиной 12 нм поверх буферного слоя AlSb. Структура и T C всех образцов сведены в Таблицу 1.На рис. 1б представлены картины дифракции электронов высоких энергий (ДБЭО) на отражение от структуры SL в образце A4 ( N = 7). Картины ДБЭО очень яркие и полосатые во время роста слоев InAs, темнеют, но остаются картиной с цинковой обманкой во время роста слоев FeAs, а затем хорошо восстанавливаются во время роста следующего слоя InAs. Это указывает на то, что структуры SL во всех образцах выращены в хорошем режиме 2D роста, сохраняя кристаллическую структуру цинковой обманки, и нет никаких признаков выделения второй фазы.

Таблица 1 Параметры структуры ( N , t InAs ) и температура Кюри T C образца A0 — A4.

Мы исследуем кристаллическую структуру и распределение Fe с помощью сканирующей просвечивающей электронной микроскопии (STEM) и энергодисперсионной рентгеновской спектроскопии (EDX). На рисунке 1c показаны результаты для образца, состоящего из FeAs (номинально 1 ML), зажатого между слоями InAs, выращенного на подложке InAs (001) с использованием той же процедуры выращивания и условий, описанных выше.Только кристаллическая структура цинковой обманки основного InAs наблюдается из изображения решетки STEM (левая панель рис. 1c). Контраст STEM напрямую связан с атомным номером, так что можно увидеть более темную горизонтальную линию с шириной примерно 3 ML, соответствующую слою FeAs. Результаты EDX-картирования атомов Fe также подтверждают распределение Fe в квази-ML, расположенном на расстоянии 10 нм от поверхности (правая панель рис. 1c). Вдоль направления роста z концентрация Fe следует нормальному распределению со стандартным отклонением σ = 0.45 нм, что соответствует 1.5 ML с использованием постоянной решетки InAs (рис. 3d). Отметим, что пространственное разрешение EDX составляет 3–4 ML, что больше σ . Таким образом, можно сделать вывод, что ультратонкие тетраэдрические слои FeAs успешно выращиваются в матрице InAs с цинковой обманкой, а атомы Fe в основном удерживаются в пределах толщины 2–3 МС.

Магнитные свойства структур FeAs / InAs SL

Мы исследовали магнитные свойства образца A0 – A4 с помощью магнитометрии с использованием магнитного кругового дихроизма (MCD) и сверхпроводящего квантового интерференционного устройства (SQUID).На рис. 2а показаны спектры МКД этих образцов, измеренные при 5 К и в магнитном поле H силой 1 Тл, приложенном перпендикулярно плоскости пленки. Спектры МКД образцов A1 – A4 имеют очень похожую форму с сильно усиленными пиками, близкими к энергиям оптических переходов в критических точках зонной структуры InAs с цинковой обманкой: E 1 (2,61 эВ), E 1 + Δ 1 (2,88 эВ), E 0 ′ (4,39 эВ) и E 2 (4.74 эВ) 3 . Эти особенности аналогичны спектру МКД эталонного образца (In 0,94 , Fe 0,06 ) As (A0) той же толщины (12 нм). Этот результат показывает, что даже когда атомы Fe сильно сконцентрированы в 2D ультратонких слоях, зонная структура SL сохраняет основные свойства основного InAs, такие как запрещенная зона и большая часть зонной дисперсии. Этот вывод согласуется с их однофазной кристаллической структурой цинковой обманки, обнаруженной методом STEM.Более того, по сравнению со спектром МКД (In 0,94 , Fe 0,06 ) в качестве эталонного образца, интенсивность МКД SL FeAs / InAs в образце A2, который имеет почти такую ​​же среднюю концентрацию Fe (которая составляет 6,9% = 3 MLs / 43 MLs), в три раза сильнее. Это однозначно свидетельствует об усилении намагниченности и энергии спинового расщепления в зонной структуре СР FeAs / InAs, вероятно, из-за плотного распределения атомов Fe в плоскостях FeAs. Интенсивность MCD в образцах A2, A3, A4 остается почти постоянной, что может быть связано с небольшой глубиной проникновения видимого света в эти структуры (см. Дополнительное примечание 4).

Рис. 2: Магнитные свойства SL FeAs / InAs.

a MCD-спектры образца A1 – A4 по сравнению со спектром контрольного образца (A0) толщиной 12 нм (In 0,94 , Fe 0,06 ) As. Все спектры измерены при 5 К и 1 Тл. b Зависимость интенсивности МКД от магнитного поля (кривые MCD– H ), измеренные при E 1 в образце A1 – A4 при различных температурах. c Температура Кюри ( T C ) как функция расстояния t InAs между МС FeAs (розовые кружки).Также нанесены полосы погрешностей в 5 K, которые соответствуют минимальному температурному шагу в наших измерениях MCD– H . Это соотношение хорошо описывается кривой T C t InAs −3 (пунктирная кривая). Значения T C , рассчитанные по формуле. (2) с A = 250 (незакрашенные ромбики) также хорошо воспроизводят экспериментальные результаты. d Зависимость намагниченности образца A2 – A4 от магнитного поля, измеренная методом СКВИД-магнитометрии при 10 K в магнитном поле, перпендикулярном плоскости пленки.

Мы оцениваем T C образца A1 – A4 по графикам Арротта 21 кривых MCD– H при различных температурах (рис. 2б), результаты которых представлены на рис. 2в. Все образцы проявляют ферромагнетизм, что противоречит предсказанию [5]. 12. Интересно, что T C быстро увеличивается по мере уменьшения расстояния t InAs между ML FeAs, что может быть приблизительно выражено как T C \ (\ propto \) t InAs −3 .Это соотношение указывает на то, что межслоевое магнитное взаимодействие между слоями FeAs, которое, вероятно, обеспечивается электронными носителями, играет важную роль в индукции ферромагнетизма. Обратная третья степенная зависимость T C от t InAs может быть понята качественно следующим образом: если мы рассмотрим полный магнитный момент в каждом FeAs ML как макроскопический спин S и определим J Sij как энергия обменного взаимодействия между магнитными моментами S i -го и j -го ML FeAs, разделенных расстоянием | i j | t InAs , J Sij пропорционально ~ | i j | −2 t InAs −2 , что хорошо известно в магнитных многослойных системах с межслоевым взаимодействием типа RKKY 22 .{N} \ frac {1} {i} \ right) $$

(2)

, где A — постоянная пропорциональности. В уравнении. (2) первый член примерно в 1,5, 2,5, 3 и 4 раза больше, чем второй член для N = 1, 3, 5, 7 соответственно. Следовательно, учитывая соотношение N t InAs −1 , если мы выразим T C как t InAs −γ , показатель степени γ будет близким значением к 3.Как видно на рис. 2c, значения T C , рассчитанные с использованием уравнения. (2) с A = 250 (незакрашенные ромбики) хорошо воспроизводят экспериментальные результаты (розовые кружки). Важным следствием этого соотношения T C \ (\ propto \) t InAs −3 является то, что мы получили бы ферромагнетизм при комнатной температуре в SL с t InAs <3 МД, которые могут быть достигнуты путем оптимизации условий роста.

Другой важной особенностью структур FeAs / InAs SL является то, что они обладают большим магнитным моментом на атом Fe, равным 4,7–4,9 мкм B . Как показано на рис. 2d, насыщенная намагниченность в образце A2 – A4, измеренная при 10 K в магнитном поле, перпендикулярном плоскости пленки с помощью СКВИД-магнитометрии, линейно увеличивается с увеличением количества слоев FeAs N . Эти впечатляющие результаты могут быть вызваны двумерным распределением атомов Fe, которые все соседствуют с InAs как на верхней, так и на нижней границе раздела.Это снижает симметрию вокруг атомов Fe, что может сильно усилить компонент их орбитального момента до такой же высокой, как у изолированного атома Fe (2 μ B / Fe) 23 . Это высокое значение магнитного момента также исключает возможность кластеров Fe, которые обычно имеют магнитный момент только 2,2 мкм B / атом Fe (см. Дополнительное примечание 1). Это огромное улучшение по сравнению со случайным образом легированным Fe (In, Fe) As, в котором магнитный момент на атом Fe равен всего 1.8 μ B , что соответствует отсутствию 64% магнитного момента Fe 3 . Этот результат хорошо согласуется с предсказанием расчетов из первых принципов о том, что FM-взаимодействия между атомами Fe в InAs могут быть сильно усилены, если расстояние между атомами Fe уменьшается 17 .

Магнитосопротивление (MR) в структурах FeAs / InAs SL

Транспортные свойства структур FeAs / InAs SL, исследованные в узорчатых стержнях Холла размером 50 × 200 мкм 2 , также существенно зависят от t InAs .Как показано на рис. 3а, температурная зависимость удельного сопротивления изменяется от металлического поведения в образцах A1 и A2 до изоляционного поведения в образцах A3 и A4. В частности, при низких температурах удельное сопротивление резко увеличивается на 5 порядков при уменьшении t InAs с 20 МС (образец А1) до 5 МС (образец А4). Однако удельное сопротивление значительно уменьшается при приложении внешнего магнитного поля H , перпендикулярного плоскости пленки. Уменьшение удельного сопротивления при нанесении H особенно сильно в образцах с высоким удельным сопротивлением.На рисунке 3b показано MR, где соотношение MR определяется как MR ( H ) = [ R (0) — R ( H )] / R ( H ) × 100% в образце A4. , измеренные с H перпендикулярно плоскости пленки при различных температурах. Открытый и закрытый символы на кривой MR при каждой температуре соответствуют отношениям MR при движении магнитного поля слева направо и справа налево, соответственно. На рис. 3в показана температурная зависимость MR. Наблюдались чрезвычайно большие отношения MR (максимум ~ 500% при 2 К и 10 кЭ) с четким гистерезисом.С повышением температуры коэффициент MR заметно уменьшается в корреляции с уменьшением удельного сопротивления и сокращается до уровня ниже 1% при температурах выше T C (80 K). На рис. 3d показаны кривые MR в четырех образцах SL A1 – A4, измеренные при 4 K с H до 1 T. Можно видеть, что отношение MR быстро увеличивается от 1 → 27 → 82 → 224% при переходе от образец A1 до A4, в соответствии с уменьшением t InAs и увеличением удельного сопротивления.

Рис. 3. Магнитотранспортные свойства структур FeAs / InAs SL.

a Температурная зависимость удельного сопротивления в образце A1 – A4. Удельное сопротивление измеряли четырехполюсным методом на холловских стержнях размером 50 × 200 мкм 2 (вставка). b Кривые магнитосопротивления (MR), измеренные в образце A4 при различных температурах T = 2–10 K, при приложении магнитного поля, перпендикулярного плоскости пленки. Коэффициент MR определяется как MR ( H ) = [ R (0) — R ( H )] / R ( H ) × 100%.Открытый и закрытый символы на кривой MR при каждой температуре соответствуют отношениям MR при движении магнитного поля слева направо и справа налево, соответственно. c Отношение MR при H = 10 кЭ в зависимости от температуры в образце A4. d Кривые MR, измеренные на образце A1 – A4 при 4 K при приложении магнитного поля, перпендикулярного плоскости пленки. Открытый и закрытый символы соответствуют противоположным направлениям движения магнитного поля, как описано в ( b ). e Отношение MR при H = 10 кЭ в зависимости от расстояния t InAs между слоями FeAs. Отношения могут быть хорошо подогнаны по формуле. (4) (пунктирная кривая).

Сильная корреляция между удельным сопротивлением и отношением MR ясно означает, что спин-зависимое рассеяние носителей проводимости, которыми являются электроны, как показывают измерения Холла, является доминирующим механизмом рассеяния в этих образцах SL FeAs / InAs. Отметим, что здесь ситуация очень похожа на хорошо известный случай многослойных структур, состоящих из ферромагнитных (FM) / немагнитных (NM) металлических слоев, в которых обычно наблюдается гигантское магнитосопротивление (GMR).Здесь слои FeAs и прокладки InAs играют роль FM- и NM-слоев соответственно. Таким образом, мы использовали стандартную модель проводимости с двумя носителями, обычно используемую для GMR, для анализа большого MR, наблюдаемого в наших образцах SL. {2}} {4 \ alpha} $$

(3)

с α = ρ / ρ — параметр спиновой асимметрии.Из-за спин-зависимого рассеяния на границах раздела слоев FeAs, α в значительной степени отклоняется от 1. Используя уравнение. (3) для MR образца A4 (~ 500% при 2 K) мы имеем чрезвычайно большое значение α = 22. Есть две возможные причины этого гигантского значения α : во-первых, оно может происходить из большое спиновое расщепление в зоне проводимости СР FeAs / InAs, как показали результаты МКД (рис. 2). Стоит отметить, что для случая (In, Fe) As мы ранее наблюдали полуметаллическую структуру зоны проводимости 7 .Во-вторых, это может происходить из-за высокой спиновой поляризации в плотности состояний слоев FeAs с цинковой обманкой, поскольку полуметаллическая плотность состояний была предсказана для объемного FeAs расчетами из первых принципов 12 .

Основываясь на теоретической структуре GMR 24 , мы количественно объясняем зависимость MR от t InAs , показанную на рис. 3e. В мультислоях FM / NM, где присутствует GMR, зависимость отношения MR от толщины слоя NM ( t InAs ) выражается как

$$ {\ rm {MR}} = {{MR}} _ {0} \ frac {{{\ exp}} \ left (- \ frac {{t} _ {\ text {InAs}}} {{l} _ {\ text {InAs}}} \ right)} {\ left (1+ \ frac {{t} _ {\ text {InAs}}} {{d} _ {0}} \ right)} $$

(4)

Здесь MR 0 — постоянная величины MR, l InAs — длина свободного пробега электронов в спейсере InAs, d 0 — эффективная длина, представляющая шунтирование тока в Слои FeAs.Как показано на рис. 3e, уравнение. (4) очень хорошо согласуется с экспоненциальной t InAs -зависимостью MR с MR 0 = 2700%, l InAs = 1,1 нм (~ 4 ML InAs) и d 0 = 0,6 нм. Короткая длина свободного пробега l InAs из 4 ML почти равна толщине спейсера InAs в образце A4 ( t InAs = 5 ML). Этот результат согласуется с тем фактом, что спин-зависимое рассеяние происходит в основном на границах раздела FeAs / InAs.С другой стороны, значение d 0 = 0,6 нм близко к уширению ( σ = 0,45 нм) слоев FeAs, наблюдаемому методами EDX и STEM (рис. 1). Эти хорошие соглашения убедительно свидетельствуют о том, что чрезвычайно большие MR в наших образцах SL могут быть хорошо поняты с помощью модели GMR в магнитных многослойных системах на основе полупроводников. Эти результаты также предполагают, что даже более высокие отношения MR могут быть получены в SL путем оптимизации параметра структуры, в частности, с использованием меньшего размера t InAs .

Электрический контроль GMR в структурах FeAs / InAs SL

Одним из основных преимуществ наших магнитных многослойных структур на основе полупроводников перед металлическими является возможность управлять свойствами MR с помощью напряжения затвора В G . Как показано на рис. 4a, мы формируем структуру двойного электрического полевого транзистора (EDLT), используя стержень Холла образца A2 ( N = 3, t InAs = 10 ML) (см. «Методы» ). Как показано на рис.4b и c, сопротивление и концентрация листовых электронов n 2D в образце A2 систематически контролируются путем применения V G . Изменение n 2D невелико, всего 15,5% при В G = 5 В и –7,5% при В G = –3 В. Однако, как показано на рис. 4d, получены значительные изменения в кривых MR: отношение MR при H = 10 кЭ уменьшается с 29,2% при В G = 0 В до 22% при В G = 5 В и увеличивается до 32.3% при В G = –3 В. Опять же наблюдается увеличение (уменьшение) отношения MR в соответствии с увеличением (уменьшением) удельного сопротивления. С увеличением концентрации электронов спин-зависимое рассеяние электронных носителей на границе FeAs / InAs подавляется из-за усиленного эффекта экранирования, что приводит к соответствующему уменьшению отношения MR.

Рис. 4: Управление напряжением затвора магнитосопротивления (MR) в SL FeAs / InAs.

a Двухслойная электрическая транзисторная структура, сформированная на образце A2 (см. «Метод»). b Сопротивление и c Пластинчатая плотность электронов ( n 2D ) в структуре FeAs / InAs SL при различных температурах и разных напряжениях затвора В G = –3, 0,5 В. d Кривые MR, измеренные в СР FeAs / InAs при 2 К с различными напряжениями затвора В G = –3, 0, 5 В, в магнитном поле, приложенном перпендикулярно плоскости пленки. Эти кривые MR демонстрируют явный гистерезис из-за ферромагнетизма в образце A2.В скобках после напряжений затвора указаны значения коэффициента MR.

Перевод в англо-немецком словаре LEO

Aktivieren Sie JavaScript für mehr Features und höhere Geschwindigkeit beim Abfragen.

Существительные :: Глаголы :: Прилагательные :: Похожие :: Связанные :: Обсуждения :: 9

Возможные базовые формы для слова «обманка»

blenden (Глагол)

Глаголы

2

Глаголы

9017
ослеплять | ослепленный, ослепленный | переходник | обманка, геблендет |
ослеплять | ослепленный, ослепленный ослеплением | переходник | обманка, геблендет |
для бликов | посмотрел, посмотрел | переходник | обманка, геблендет |
, чтобы ослепить так. | ослепленный, ослепленный | jmdn. бленден | обманка, геблендет |
для отмены | абацинированный, абацинированный | редкий бленден | обманка, геблендет |
для остановки die Blendeen 9199 917 917 917 917 917 917 917 917 917

Прилагательные / наречия

, содержащий 1 [см.] blendeführend
9172 9172 9172 blendehaltig
относится к blende [TECH.] blendeartig
9902
9902
9902
9902
9902
9902
blendig
Другие действия

Начать новую ветку Управлять словарным запасом Просмотреть историю поиска

схожих 9035 , bender, blend, blended, blender, blonde, lender
blenden, Blender, Blinde, blöde, Blöde, Blonde, Lende
— Blende

Форумы обсуждения, содержащие поисковый запрос
900 49 aperture — die Blende Последнее сообщение 15 ноя 03, 23:31
Das englische Wort «aperture» bezeichnet den Durchmesser der Öffnung eines optischen Instrum… 11
Последнее сообщение 16 июл 06, 03:02
Werbeträger Blende, ein Begriff aus dem Messebau.Auf die Blende wird der Name und Logo po… 3 Ответа
оттенок — Blende Последнее сообщение 07 мар 07, 15:24
http: //www.hyperdictionary. com / search.aspx? define = shade [n] защитное покрытие, которое защищает… 0 Ответов
Blende — подкладка Последнее сообщение 20 окт 05, 17:00
http ://изображений.google.de/imgres?imgurl=http://www.ttz.uni-magdeburg.de/messe-db/messefotos/19… 1 Ответов
Blende — push plug Последняя сообщение 25 11 ноя, 10:56
Es handelt sich um eine Beschreibung einer Röntgen-Anlage, die über entsprechende technische… 2 ответа
, 14:00
Металлик Blende Es handelt sich um eine Kaffeemaschine ohne Kontext 3 Ответа
Blende Последнее сообщение 902 für Leuchte 0 Ответов
Blende Последнее сообщение 27 января 05, 09:11
В словаре много переводов Blende, но я м все еще в замешательстве.У меня есть л… 3 ответа
Blende Последнее сообщение 10 июл 12, 22:29
Es handelt sich um die Blende bei einer Fensterbank. Hier ein Bild zur Verdeutlichung, was i… 3 Ответа
максимальная апертура — die Offenblende (die offene Blende) Последнее сообщение 21 сен 05, 15:21
макс. апертура: http: // en.wikipedia.org/wiki/Aperture Offenblende: http://de.wikipedia.org/w… 0 Ответов

Английский ⇔ немецкий словарь — leo.org: Стартовая страница

SUCHWORT — Перевод в англо-немецком словаре LEO

LEO.org: Ваш онлайн-словарь для переводов с английского на немецкий. Предлагаем форумы, словарный инструктор и языковые курсы. Также доступно как приложение!

Выучите перевод слова SUCHWORT в англо-немецком словаре LEO.

Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *